Создан первый полупроводник из графена

Первый работающий полупроводник из графена был создан командой американских и китайских исследователей. Технология позволит создавать компактные  и высокопроизводительные устройства, а также сыщет применение в квантовых вычислениях.

Подробности исследования опубликованы журналом Nature при сотрудничестве Технологического института Джорджии (США) и Тяньцзиньского университета (Китай), которые считают, что оно открывает дверь к новому способу создания электроники.

Команде удалось вырастить графен на пластинах карбида кремния, используя специальные печи, чтобы получить эпитаксиальный графен, который при правильном изготовлении начал проявлять полупроводниковые свойства.

В течение 10 лет они совершенствовали материал и изменяли химические свойства графена, пока не добились идеальной структуры, способной действовать как высококачественный полупроводник, конкурирующий с кремнием.

Он также совместим с традиционными процессами, что необходимо для создания жизнеспособной альтернативы кремнию, подчеркнули в Технологическом институте Джорджии.

По мнению исследователей, эпитаксиальный графен «может спровоцировать смену парадигмы» в области электроники и позволить создать совершенно новые технологии, использующие его уникальные свойства.

Кроме того, это позволяет нам воспользоваться квантово-механическими волновыми свойствами электронов, что является важным требованием для квантовых вычислений.

Источник